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Si1021R
Vishay Siliconix
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS(min.) (V)
- 60
R DS(on) ( ? )
4.0 at V GS = - 10 V
V GS(th) (V)
- 1 to 3.0
I D (mA)
- 190
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? High-Side Switching
? Low On-Resistance: 4 ?
? Low Threshold: - 2 V (typ.)
? Fast Switching Speed: 20 ns (typ.)
? Low Input Capacitance: 20 pF (typ.)
? Miniature Package
SC-75A
(SOT-416)
? ESD Protected: 2000 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
G
1
APPLICATIONS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
3
D
Memories, Transistors, etc.
S
2
Markin g Code: F
? Battery Operated Systems
? Power Supply Converter Circuits
? Solid-State Relays
Top V ie w
Orderin g Information: Si1021R-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
BENEFITS
?
?
?
?
?
?
Ease in Driving Switches
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Easily Driven without Buffer
Small Board Area
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwi se noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current b
Power Dissipation a
Maximum Junction-to-Ambient a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 85 °C
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
P D
R thJA
T J , T stg
- 190
- 135
- 650
250
130
500
- 55 to 150
mA
mW
°C/W
°C
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 71410
S10-2687-Rev. F, 22-Nov-10
www.vishay.com
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